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MTD5P06V1 PDF预览

MTD5P06V1

更新时间： 2024-11-21 21:17:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 101K
描述
5A, 60V, 0.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3

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MTD5P06V1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369D-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.16
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：125 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.45 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MTD5P06V1 数据手册

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MTD5P06V  
Preferred Device  
Power MOSFET  
5 Amps, 60 Volts  
P–Channel DPAK  
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the  
avalanche and commutation modes. Designed for low voltage, high  
speed switching applications in power supplies, converters and power  
motor controls, these devices are particularly well suited for bridge  
circuits where diode speed and commutating safe operating areas are  
critical and offer additional safety margin against unexpected voltage  
transients.  
http://onsemi.com  
5 AMPERES  
60 VOLTS  
R
= 450 mΩ  
DS(on)  
• Avalanche Energy Specified  
• I  
and V Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
P–Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Drain–to–Gate Voltage (R  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
V
DSS  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
60  
G
GS  
Gate–to–Source Voltage  
– Continuous  
V
± 15  
± 25  
Vdc  
Vpk  
GS  
S
– Non–repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
GSM  
p
Drain Current – Continuous @ 25°C  
Drain Current – Continuous @ 100°C  
I
5
4
18  
Adc  
MARKING  
DIAGRAM  
D
I
D
Drain Current – Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
Apk  
p
DM  
Total Power Dissipation @ 25°C  
Derate above 25°C  
P
40  
0.27  
2.1  
Watts  
W/°C  
Watts  
D
4
YWW  
T
5P06V  
CASE 369A  
DPAK  
STYLE 2  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
A
2
3
1
(Note 1.)  
Operating and Storage Temperature Range T , T  
stg  
–55 to  
175  
°C  
J
Y
= Year  
WW  
T
= Work Week  
= MOSFET  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
Energy – Starting T = 25°C  
E
AS  
125  
mJ  
J
(V  
= 25 Vdc, V  
= 10 Vdc, Peak  
GS  
DD  
= 5 Apk, L = 10 mH, R = 25 Ω)  
I
L
PIN ASSIGNMENT  
G
4
Thermal Resistance  
– Junction to Case  
– Junction to Ambient  
– Junction to Ambient (Note 1.)  
°C/W  
°C  
Drain  
R
R
R
3.75  
100  
71.4  
θJC  
θJA  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10  
seconds  
T
260  
L
1
Gate  
2
3
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
Drain Source  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
DPAK  
Shipping  
75 Units/Rail  
MTD5P06V  
MTD5P06V1  
MTD5P06VT4  
DPAK  
75 Units/Rail  
DPAK  
2500 Tape & Reel  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
November, 2000 – Rev. 2  
MTD5P06V/D  
1234567...12

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MTD5P06V1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MTD5P06VT4G ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，-60V，-5A，450mΩ，单 P 沟道，DPAK
MTD6N20ET4G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK

与MTD5P06V1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTD5P06V-1 ROCHESTER

获取价格

 		5A, 60V, 0.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3
MTD5P06VT4 MOTOROLA

获取价格

 		5A, 60V, 0.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD5P06VT4 ROCHESTER

获取价格

 		5A, 60V, 0.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3
MTD5P06VT4 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，-60V，-5A，450mΩ，单 P 沟道，DPAK
MTD5P06VT4G ONSEMI

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 		功率 MOSFET，-60V，-5A，450mΩ，单 P 沟道，DPAK
MTD-6000 VECOW

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 		Multi-Touch 16 : 9 Full HD Projected Capacitive Industrial Display, Front Panel IP65 Water
MTD6000PT MARKTECH

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 		Photo Transistor
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 		Peak Sensitivity Wavelength: 880nm
MTD6000PT-T MARKTECH

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MTD6010A MARKTECH

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 		PHOTO TRANSISTOR

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