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MTD5P06VT4

更新时间: 2024-11-21 20:11:19
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 833K
描述
5A, 60V, 0.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3

MTD5P06VT4 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:CASE 369C-01, DPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.16其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):125 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):5 A最大漏源导通电阻:0.45 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):18 A
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MTD5P06VT4 数据手册

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