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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.16 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 125 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 60 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 70 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 70 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD5P06VT4G | ONSEMI |
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功率 MOSFET，-60V，-5A，450mΩ，单 P 沟道，DPAK |
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| MTD-6000 | VECOW |
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Multi-Touch 16 : 9 Full HD Projected Capacitive Industrial Display, Front Panel IP65 Water |
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| MTD6000PT | MARKTECH |
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Photo Transistor |
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| MTD6000PTT | MARKTECH |
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Peak Sensitivity Wavelength: 880nm |
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| MTD6000PT-T | MARKTECH |
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High Reliability in Demanding Environments |
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| MTD6010A | MARKTECH |
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PHOTO TRANSISTOR |
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| MTD-6015 | VECOW |
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Multi-Touch 16 : 9 Full HD Projected Capacitive Industrial Display, Front Panel IP65 Water |
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| MTD-6017 | VECOW |
获取价格 |
Multi-Touch 16 : 9 Full HD Projected Capacitive Industrial Display, Front Panel IP65 Water |
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| MTD-6019 | VECOW |
获取价格 |
Multi-Touch 16 : 9 Full HD Projected Capacitive Industrial Display, Front Panel IP65 Water |
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| MTD-6021 | VECOW |
获取价格 |
Multi-Touch 16 : 9 Full HD Projected Capacitive Industrial Display, Front Panel IP65 Water |
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