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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CASE 369D-01, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.16 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 125 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD5P06V-1 | ROCHESTER |
获取价格 |
5A, 60V, 0.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3 |
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| MTD5P06VT4 | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 60V, 0.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| MTD5P06VT4 | ROCHESTER |
获取价格 |
5A, 60V, 0.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 |
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| MTD5P06VT4 | ONSEMI |
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功率 MOSFET，-60V，-5A，450mΩ，单 P 沟道，DPAK |
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| MTD5P06VT4G | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，-60V，-5A，450mΩ，单 P 沟道，DPAK |
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| MTD-6000 | VECOW |
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Multi-Touch 16 : 9 Full HD Projected Capacitive Industrial Display, Front Panel IP65 Water |
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| MTD6000PT | MARKTECH |
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Photo Transistor |
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| MTD6000PTT | MARKTECH |
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Peak Sensitivity Wavelength: 880nm |
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| MTD6000PT-T | MARKTECH |
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High Reliability in Demanding Environments |
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| MTD6010A | MARKTECH |
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PHOTO TRANSISTOR |
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