是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | CASE 369D-01, DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.16 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 113 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.12 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 45 A | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTD15N06V-1 | ROCHESTER |
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15A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3 | |
MTD15N06VL | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.085 OHM | |
MTD15N06VL | ONSEMI |
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15A, 60V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 | |
MTD15N06VLT4 | ONSEMI |
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15A, 60V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 | |
MTD15N06VLT4 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTD15N06VT4 | ROCHESTER |
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15A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 | |
MTD15N06VT4 | MOTOROLA |
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15A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | |
MTD190P06KN3 | CYSTEKEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
MTD190P06KN3-0-T1-G | CYSTEKEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
MTD190P10E3 | CYSTEKEC |
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |