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MTD15N06V1

更新时间: 2024-09-17 14:34:55
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 754K
描述
15A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3

MTD15N06V1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:CASE 369D-01, DPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.16Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):113 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.12 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):45 A认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MTD15N06V1 数据手册

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