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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD1N50-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 500V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTD1N50E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM |
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| MTD1N50E | ONSEMI |
获取价格 |
1A, 500V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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| MTD1N50E1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| MTD1N50EG | ONSEMI |
获取价格 |
1A, 500V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, GREEN, DPAK-3 |
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| MTD1N50ET4 | ONSEMI |
获取价格 |
1A, 500V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
|
| MTD1N50T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
1A, 500V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| MTD1N60E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM |
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| MTD1N60ET4 | MOTOROLA |
获取价格 |
1A, 600V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3 |
|
| MTD1N80E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHM |
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