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MTD1P50ET4 PDF预览

MTD1P50ET4

更新时间: 2024-11-07 19:58:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 67K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 500V, 15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

MTD1P50ET4 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.66其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):45 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (ID):1 A最大漏源导通电阻:15 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:50 W最大脉冲漏极电流 (IDM):4 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MTD1P50ET4 数据手册

 浏览型号MTD1P50ET4的Datasheet PDF文件第2页 

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