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MTD1P40ET4

更新时间: 2024-11-07 14:43:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
10页 694K
描述
Transistor

MTD1P40ET4 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):65 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

MTD1P40ET4 数据手册

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