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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD1N45 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| MTD1N45-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
1 A, 450 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
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| MTD1N45T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 450V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTD1N50 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| MTD1N50-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 500V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTD1N50E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM |
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| MTD1N50E | ONSEMI |
获取价格 |
1A, 500V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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| MTD1N50E1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| MTD1N50EG | ONSEMI |
获取价格 |
1A, 500V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, GREEN, DPAK-3 |
|
| MTD1N50ET4 | ONSEMI |
获取价格 |
1A, 500V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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