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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 98 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 72 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 49 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD15N06 | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS |
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| MTD15N06V | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS |
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| MTD15N06V | ROCHESTER |
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15A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 |
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| MTD15N06V1 | ROCHESTER |
获取价格 |
15A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3 |
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| MTD15N06V-1 | ROCHESTER |
获取价格 |
15A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3 |
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| MTD15N06VL | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.085 OHM |
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| MTD15N06VL | ONSEMI |
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15A, 60V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 |
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| MTD15N06VLT4 | ONSEMI |
获取价格 |
15A, 60V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 |
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| MTD15N06VLT4 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTD15N06VT4 | ROCHESTER |
获取价格 |
15A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 |
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