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MSC010SDA170B

更新时间： 2024-02-19 18:06:48
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网高电压电源高压测试二极管
页数 文件大小 规格书
8页 1274K
描述
Rectifier Diode,

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MSC010SDA170B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.54其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, LOW NOISE, SNUBBER DIODE
应用：HIGH VOLTAGE POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON CARBIDE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.8 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：90 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：31 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大功率耗散：163 W最大重复峰值反向电压：1700 V
最大反向电流：200 µA反向测试电压：1700 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MSC010SDA170B 数据手册

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MSC010SDA170B Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode  
Product Overview  
The silicon carbide (SiC) power Schottky barrier diode (SBD) product line from Microsemi increases the  
performance over silicon diode solutions while lowering the total cost of ownership for high-voltage  
applications. The MSC010SDA170B device is a 1700 V, 10 A SiC SBD in a TO-247 package.  
Features  
The following are key features of the MSC010SDA170B device:  
No reverse recovery  
Low forward voltage  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RoHS compliant  
•
•
•
•
•
Benefits  
The following are benefits of the MSC010SDA170B device:  
High switching frequency  
Low switching losses  
Low noise (EMI) switching  
Higher reliability systems  
Increased system power density  
•
•
•
•
•
Applications  
The MSC010SDA170B device is designed for the following applications:  
Power factor correction (PFC)  
Anti-parallel diode  
•
•
Switch-mode power supply  
Inverters/converters  
Motor controllers  
◦
◦
◦
Freewheeling diode  
•
•
Switch-mode power supply  
Inverters/converters  
◦
◦
Snubber/clamp diode  
053-4112 MSC010SDA170B Datasheet Revision A  
1
12345678

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