MS8150-P2613

更新时间： 2024-01-23 21:36:32

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美高森美 - MICROSEMI		微波混频二极管
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描述
GaAs Schottky Devices Low RS Flip Chip

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MS8150-P2613 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-XDSO-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	0.08 pF	二极管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	MILLIMETER WAVE BAND
JESD-30 代码：	R-XDSO-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MS8150-P2613 数据手册

GaAs Schottky Devices

Low R_SFlip Chip

MS8150 - P2613

Dimensions

Size: 26 x 13 mils

Thickness: 5 mils

Bond Pad Size: 5 x 8 mils

Features

●

Capacitance (65 fF Typ.)

●

Low Series Resistance (3  Typ.)

●

Cut-off Frequency > 500 GHz

Description

●

Large Gold Bond Pads

The MS8150-P2613 is a GaAs flip chip Schottky diode

designed for use as mixer and detector elements at

microwave and millimeter wave frequencies. Their

high cut-off frequency insures good performance at

frequencies to 100 GHz. Applications include:

transceivers, digital radios and automotive radar

detectors.

Specifications

(Per Junction)

@ 25°C

●

V_F(1 mA): 650–750 mV

R_S(10 mA): 7  Max.

I_R(3 V): 10 A Max.

C_T(0 V): 80 fF Max.

●

These flip chip devices incorporate Microsemi’s

expertise in GaAs material processing, silicon nitride

protective coatings and high temperature metallization.

They have large, 5 x 8 mil, bond pads for ease of

insertion. The MS8150-P2613 is priced for high volume

commercial and industrial applications.

Maximum Ratings

Insertion

Temperature

250°C for 10 Seconds

Incident Power

+20 dBm

25°C

Forward Current

15 mA

3 V

@ 25°C

Reverse

Operating

Storage emperature

Voltage

Temperature

-55°C to +125°C

-65°C to +150°C

IMPORTANT: For the most current data, consult our website: www.MICROSEMI.com

Specifications are subject to change. Consult factory for the latest information.

¹The MS8150 Series of products are

supplied with a RoHS complaint Gold finish

These devices are ESD sensitive and must be handled using ESD precautions.

Microsemi

Rev: 2009-05-11

Page 1

Microwave Products

75 Technology Drive, Lowell, MA. 01851, 978-442-5600, Fax: 978-937-3748

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MS8151-P2613	MICROSEMI	获取价格	GaAs Schottky Devices Low CT Flip Chip
MS81V04160	OKI	获取价格	Dual FIFO (262,214-word x 8-Bits) x 2
MS81V04160-25TB	OKI	获取价格	Dual FIFO (262,214-word x 8-Bits) x 2
MS81V04160-30TB	OKI	获取价格	Dual FIFO (262,214-word x 8-Bits) x 2
MS81V04160A	OKI	获取价格	Dual FIFO (262,214 Words 】 8 Bits) 】 2
MS81V04160A-20TB	OKI	获取价格	Dual FIFO (262,214 Words 】 8 Bits) 】 2
MS81V04160A-25TB	OKI	获取价格	Dual FIFO (262,214 Words 】 8 Bits) 】 2
MS81V04166	OKI	获取价格	Dual FIFO (262,214 Words × 8 Bits) × 2
MS81V04166-30TB	OKI	获取价格	FIFO, 256KX8, 30ns, Synchronous, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TQFP-1
MS81V04166-40TB	OKI	获取价格	FIFO, 256KX8, 35ns, Synchronous, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TQFP-1

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