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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.64 |
| 最长访问时间： | 100 ns | JESD-30 代码： | R-XSMA-T36 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 36 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2MX8 |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MS820-B | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| MS820-BP | MCC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD |
|
| MS820-T | MCC |
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暂无描述 |
|
| MS820-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD |
|
| MS8211 | ETC |
获取价格 |
PEN-TYPE AUTORANGING |
|
| MS8211D | ETC |
获取价格 |
PEN-TYPE AUTORANGING |
|
| MS825 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 25V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| MS8250-48 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCHOTTKY DIODES TM Silicon Low Barrier |
|
| MS8250-P2920 | MICROSEMI |
获取价格 |
GaAs Schottky Diodes Flip Chip Anti Parallel Low RS |
|
| MS8251-P2920 | MICROSEMI |
获取价格 |
GaAs Schottky Diodes Flip Chip Anti Parallel Low C |
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