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MRF1570NT1 PDF预览

MRF1570NT1

更新时间： 2024-02-11 01:42:10
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
18页 429K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF1570NT1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-272
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1366-05, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.05
外壳连接：SOURCE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：40 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-272
JESD-30 代码：R-PDFM-C8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：165 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF1570NT1 数据手册

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TYPICAL CHARACTERISTICS, 135 - 175 MHz  
18  
17  
16  
15  
14  
70  
155 MHz  
V
= 12.5 Vdc  
DD  
155 MHz  
60  
50  
175 MHz  
135 MHz  
175 MHz  
135 MHz  
40  
30  
20  
13  
12  
V
= 12.5 Vdc  
DD  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
10  
20  
30  
40  
P , OUTPUT POWER (WATTS)  
out  
50  
60  
70  
80  
90  
P
, OUTPUT POWER (WATTS)  
out  
Figure 5. Gain versus Output Power  
Figure 6. Drain Efficiency versus Output Power  
90  
100  
80  
155 MHz  
80  
70  
135 MHz  
175 MHz  
135 MHz  
60  
40  
175 MHz  
155 MHz  
60  
50  
20  
0
V
P
= 12.5 Vdc  
= 36 dBm  
V
P
= 12.5 Vdc  
= 36 dBm  
DD  
DD  
in  
in  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
400  
600  
800  
I , BIASING CURRENT (mA)  
DQ  
1000  
1200  
1400  
1600  
I
, BIASING CURRENT (mA)  
DQ  
Figure 7. Output Power versus Biasing Current  
Figure 8. Drain Efficiency versus Biasing Current  
100  
80  
100  
80  
155 MHz  
135 MHz  
175 MHz  
135 MHz  
175 MHz  
155 MHz  
60  
60  
40  
40  
20  
0
20  
0
P
I
= 36 dBm  
= 800 mA  
P
I
= 36 dBm  
= 800 mA  
in  
in  
DQ  
DQ  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
10  
11  
12  
V , SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)  
DD  
13  
14  
15  
V
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)  
DD  
Figure 9. Output Power versus Supply Voltage  
Figure 10. Drain Efficiency versus Supply Voltage  
MRF1570NT1 MRF1570FNT1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
5
12345678...18

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