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MRF1535T1

更新时间: 2024-01-06 15:28:58
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
16页 257K
描述
RF Power Field Effect Transistor

MRF1535T1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:PLASTIC, TO-272, CASE 1264-09, 6 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):6 A
最大漏极电流 (ID):6 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-272AA
JESD-30 代码:R-PDFM-C6元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):135 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:C BEND
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MRF1535T1 数据手册

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PACKAGE DIMENSIONS  
A
E1  
B
r1  
DRAIN ID  
NOTE 6  
6
5
3
4
4X b2  
1
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D1  
DRAIN ID  
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2
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D
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6
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E2  
VIEW YY  
E
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SEATING  
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INCHES  
DIM MIN MAX  
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A1 ꢄꢭ ꢄꢄꢄ  
A2 ꢄꢭ ꢃꢄꢄ  
MILLIMETERS  
A1  
L
MIN  
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MAX  
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L
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e
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CASE 126409  
ISSUE J  
TO272  
PLASTIC  
MRF1535T1(NT1)  
MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
14  

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