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MRF1513NT1

更新时间： 2024-01-28 12:27:50

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器 PC
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16页	480K
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RF Power Field Effect Transistor N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET

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MRF1513NT1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	7.53	Samacsys Confidence：	4
Samacsys Status：	Released	2D Presentation：	https://componentsearchengine.com/2D/0T/1084164.1.1.png
Schematic Symbol：	https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1084164	PCB Footprint：	https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1084164
3D View：	https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1084164	Samacsys PartID：	1084164
Samacsys Image：	https://componentsearchengine.com/Images/9/MRF1513NT1.jpg	Samacsys Thumbnail Image：	https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/MRF1513NT1.jpg
Samacsys Pin Count：	3	Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：	Other	Samacsys Footprint Name：	MRF1513NT1-1
Samacsys Released Date：	2019-06-16 11:51:05	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PQSO-N4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	31.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF1513NT1 数据手册

Document Number: MRF1513

Rev. 7, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

Replaced by MRF1513NT1. There are no form, fit or function changes with this part

replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead-free

terminations.

MRF1513T1

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device

make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5 volt

portable and 12.5 volt mobile FM equipment.

520 MHz, 3 W, 12.5 V

LATERAL N-CHANNEL

BROADBAND

• Specified Performance @ 520 MHz, 12.5 Volts

Output Power — 3 Watts

Power Gain — 11 dB

Efficiency — 55%

RF POWER MOSFET

• Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.5 Vdc,

520 MHz, 2 dB Overdrive

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal

Impedance Parameters

• Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier Information

Available Upon Request

CASE 466-03, STYLE 1

PLD-1.5

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm,

7 Inch Reel.

PLASTIC

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

-0.5, +40

Unit

Vdc

Adc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

Drain Current — Continuous

(1)

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

31.25

0.25

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

Table 2. Thermal Characteristics

- 65 to +150

150

°C

stg

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Table 3. Moisture Sensitivity Level

Test Methodology

°C/W

Rating

Package Peak Temperature

Unit

Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020

260

°C

J –

1. Calculated based on the formula P

θJC

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

MRF1513T1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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