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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.04 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 125 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-CRFM-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF151BD | MACOM |
获取价格 |
RF Power MOSFET Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET |
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| MRF151D | MACOM |
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RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET |
|
| MRF151G | ASI |
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RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR |
|
| MRF151G | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET |
|
| MRF151G | TE |
获取价格 |
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET |
|
| MRF151G | MACOM |
获取价格 |
1 RF Power MSOFET Transistor 300 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET |
|
| MRF151MP | ASI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MRF151MQ | ASI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor |
|
| MRF153 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| MRF1535FNT1 | FREESCALE |
获取价格 |
RF Power Field Effect Transistors |
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