MRF1535FT1

更新时间： 2024-11-08 22:18:11

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RF Power Field Effect Transistors

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MRF1535FT1 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-272
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-272
JESD-30 代码：	R-PDFM-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	135 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF1535FT1 数据手册

MRF1535T1

Rev. 6, 1/2005

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

MRF1535NT1

N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs

MRF1535FNT1

MRF1535T1

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of these devices

make them ideal for large−signal, common source amplifier applications in

12.5 volt mobile FM equipment.

MRF1535FT1

•

Specified Performance @ 520 MHz, 12.5 Volts

Output Power — 35 Watts

Power Gain — 10.0 dB

520 MHz, 35 W, 12.5 V

LATERAL N−CHANNEL

BROADBAND

Efficiency — 50%

•

Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.6 Vdc, 520 MHz, 2 dB Overdrive

Excellent Thermal Stability

Characterized with Series Equivalent Large−Signal Impedance Parameters

RF POWER MOSFETs

Broadband−Full Power Across the Band: 135−175 MHz

400−470 MHz

450−520 MHz

•

Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier Information Available

Upon Request

•

N Suffix Indicates Lead−Free Terminations

In Tape and Reel. T1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

CASE 1264−09, STYLE 1

TO−272

PLASTIC

MRF1535T1(NT1)

CASE 1264A−02, STYLE 1

TO−272 STRAIGHT LEAD

PLASTIC

MRF1535FT1(FNT1)

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

−0.5, +40

±20

Unit

Drain−Source Voltage

Gate−Source Voltage

DSS

Vdc

Adc

Drain Current — Continuous

(1)

Total Device Dissipation @ T = 25°C

135

Derate above 25°C

0.50

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

Table 2. Thermal Characteristics

−65 to +150

°C

stg

175

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Table 3. Moisture Sensitivity Level

Test Methodology

0.90

°C/W

Rating

Package Peak Temperature

Unit

Per JESD 22−A113, IPC/JEDEC J−STD−020

260

°C

J –

1. Calculated based on the formula P

θJC

NOTE − CAUTION − MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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