MRF1518T1

更新时间： 2024-11-18 21:55:39

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
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RF Power Field Effect Transistor

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MRF1518T1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CHIP CARRIER, R-PQCC-N4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PQCC-N4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	62.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF1518T1 数据手册

MRF1518

Rev. 6, 3/2005

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

MRF1518NT1

MRF1518T1

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device

make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 12.5 volt

mobile FM equipment.

• Specified Performance @ 520 MHz, 12.5 Volts

Output Power — 8 Watts

520 MHz, 8 W, 12.5 V

LATERAL N-CHANNEL

BROADBAND

Power Gain — 11 dB

Efficiency — 55%

• Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.5 Vdc,

RF POWER MOSFET

520 MHz, 2 dB Overdrive

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal

Impedance Parameters

• RF Power Plastic Surface Mount Package

• Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier

Information Available Upon Request

• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations

CASE 466-03, STYLE 1

PLD-1.5

• Available in Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm,

7 Inch Reel.

PLASTIC

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

-0.5, +40

Unit

Vdc

Adc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

Drain Current — Continuous

(1)

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

62.5

0.50

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

Table 2. Thermal Characteristics

- 65 to +150

150

°C

stg

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Table 3. Moisture Sensitivity Level

Test Methodology

°C/W

Rating

Package Peak Temperature

Unit

Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020

260

°C

J –

1. Calculated based on the formula P

θJC

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

MRF1518NT1 MRF1518T1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MRF151D	MACOM	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
MRF151G	ASI	获取价格	RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR
MRF151G	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF151G	TE	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF151G	MACOM	获取价格	1 RF Power MSOFET Transistor 300 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
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