MRF1518T1

更新时间： 2024-01-10 19:56:26

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
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RF Power Field Effect Transistor

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MRF1518T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PQSO-N4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PQSO-N4	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	62.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF1518T1 数据手册

MRF1518

Rev. 6, 3/2005

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

MRF1518NT1

MRF1518T1

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device

make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 12.5 volt

mobile FM equipment.

• Specified Performance @ 520 MHz, 12.5 Volts

Output Power — 8 Watts

520 MHz, 8 W, 12.5 V

LATERAL N-CHANNEL

BROADBAND

Power Gain — 11 dB

Efficiency — 55%

• Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.5 Vdc,

RF POWER MOSFET

520 MHz, 2 dB Overdrive

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal

Impedance Parameters

• RF Power Plastic Surface Mount Package

• Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier

Information Available Upon Request

• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations

CASE 466-03, STYLE 1

PLD-1.5

• Available in Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm,

7 Inch Reel.

PLASTIC

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

-0.5, +40

Unit

Vdc

Adc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

Drain Current — Continuous

(1)

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

62.5

0.50

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

Table 2. Thermal Characteristics

- 65 to +150

150

°C

stg

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Table 3. Moisture Sensitivity Level

Test Methodology

°C/W

Rating

Package Peak Temperature

Unit

Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020

260

°C

J –

1. Calculated based on the formula P

θJC

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

MRF1518NT1 MRF1518T1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRF151A	TE	The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET	获取价格
MRF151A	MACOM	MOSFET	获取价格
MRF151BD	MACOM	RF Power MOSFET Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET	获取价格
MRF151D	MACOM	RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET	获取价格
MRF151G	ASI	RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR	获取价格
MRF151G	MOTOROLA	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET	获取价格

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