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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF1518T1
MRF1518T1 PDF预览

MRF1518T1

更新时间： 2024-02-21 02:24:29
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
20页 754K
描述
RF Power Field Effect Transistor

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MRF1518T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PQSO-N4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.1
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PQSO-N4JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：62.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF1518T1 数据手册

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TYPICAL CHARACTERISTICS, 450 - 520 MHz  
17  
15  
13  
11  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
470 MHz  
500 MHz  
450 MHz  
520 MHz  
470 MHz  
450 MHz  
520 MHz  
500 MHz  
9
V
DD  
= 12.5 Vdc  
7
5
V
DD  
= 12.5 Vdc  
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12  
P , OUTPUT POWER (WATTS)  
out  
P , OUTPUT POWER (WATTS)  
out  
Figure 4. Gain versus Output Power  
Figure 5. Drain Efficiency versus Output Power  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
12  
10  
8
470 MHz  
470 MHz  
450 MHz  
450 MHz  
500 MHz  
520 MHz  
520 MHz  
500 MHz  
6
4
V
= 12.5 Vdc  
P = 26.2 dBm  
DD  
V
= 12.5 Vdc  
P = 26.2 dBm  
2
0
DD  
35  
30  
in  
in  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
0
200  
400  
I , BIASING CURRENT (mA)  
DQ  
600  
800  
1000  
I
, BIASING CURRENT (mA)  
DQ  
Figure 6. Output Power versus Biasing Current  
Figure 7. Drain Efficiency versus  
Biasing Current  
12  
80  
75  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
470 MHz  
450 MHz  
11  
10  
9
470 MHz  
450 MHz  
8
520 MHz  
500 MHz  
7
6
520 MHz  
500 MHz  
5
4
I
= 150 mA  
P = 26.2 dBm  
I
= 150 mA  
P = 26.2 dBm  
DQ  
DQ  
in  
in  
3
2
35  
30  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
8
9
10  
11  
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)  
DD  
12  
13  
14  
15  
16  
V
DD  
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)  
V
Figure 8. Output Power versus Supply Voltage  
Figure 9. Drain Efficiency versus Supply Voltage  
MRF1518NT1 MRF1518T1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
4
1234567...20

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