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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF1518T1
MRF1518T1 PDF预览

MRF1518T1

更新时间： 2024-02-05 06:03:02
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
20页 754K
描述
RF Power Field Effect Transistor

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MRF1518T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PQSO-N4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.1
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PQSO-N4JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：62.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF1518T1 数据手册

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B1  
B2  
V
GG  
V
DD  
+
+
C15  
C8  
C7  
C6  
C5  
C12  
C13  
C14  
L1  
R1  
DUT  
N1  
N2  
Z1  
Z2  
Z3  
Z4  
Z5  
Z6  
Z7  
Z8  
RF  
INPUT  
RF  
OUTPUT  
C1  
C11  
L2  
C2  
C3  
C4  
C9  
C10  
B1, B2  
C1, C9  
C2  
C3, C4  
C5  
C6, C13  
C7, C14  
C8  
Long Ferrite Beads, Fair Rite Products  
12 pF, 100 mil Chip Capacitors  
6.8 pF, 100 mil Chip Capacitor  
20 pF, 100 mil Chip Capacitors  
51 pF, 100 mil Chip Capacitor  
1000 pF, 100 mil Chip Capacitors  
0.039 µF, 100 mil Chip Capacitors  
1 µF, 20 V Tantalum Chip Capacitor  
3 pF, 100 mil Chip Capacitor  
N1, N2  
R1  
Z1  
Z2  
Z3  
Z4  
Z5  
Z6  
Z7  
Type N Flange Mounts  
47 Ω Chip Resistor (0805)  
1.145″ x 0.080″ Microstrip  
0.786″ x 0.080″ Microstrip  
0.115″ x 0.223″ Microstrip  
0.145″ x 0.223″ Microstrip  
0.260″ x 0.223″ Microstrip  
0.081″ x 0.080″ Microstrip  
0.104″ x 0.080″ Microstrip  
C10  
C11, C12  
C15  
L1, L2  
51 pF, 100 mil Chip Capacitors  
22 µF, 35 V Tantalum Chip Capacitor  
18.5 nH, 5 Turn, Coilcraft  
Z8  
Board  
1.759″ x 0.080″ Microstrip  
Glass Teflon , 31 mils, 2 oz. Copper  
Figure 10. 820 - 850 MHz Broadband Test Circuit  
TYPICAL CHARACTERISTICS, 820 - 850 MHz  
12  
0
V
DD  
= 12.5 Vdc  
840 MHz  
10  
8
840 MHz  
830 MHz  
−10  
850 MHz  
850 MHz  
820 MHz  
6
−20  
820 MHz  
4
−30  
−40  
2
0
830 MHz  
7
V
DD  
= 12.5 Vdc  
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
1
2
3
4
5
6
8
9
10  
11 12  
P , INPUT POWER (WATTS)  
in  
P , OUTPUT POWER (WATTS)  
out  
Figure 11. Output Power versus Input Power  
Figure 12. Input Return Loss  
versus Output Power  
MRF1518NT1 MRF1518T1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
5
12345678...20

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