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MRF1513NT1 PDF预览

MRF1513NT1

更新时间： 2024-01-30 11:51:39
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器PC
页数 文件大小 规格书
16页 480K
描述
RF Power Field Effect Transistor N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET

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MRF1513NT1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：7.53Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：Released2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/1084164.1.1.png
Schematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1084164PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1084164
3D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1084164Samacsys PartID：1084164
Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/MRF1513NT1.jpgSamacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/MRF1513NT1.jpg
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：MRF1513NT1-1
Samacsys Released Date：2019-06-16 11:51:05Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PQSO-N4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：31.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF1513NT1 数据手册

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Table 4. Electrical Characteristics (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
I
—
—
—
—
1
1
μAdc  
μAdc  
DSS  
(V = 40 Vdc, V = 0 Vdc)  
DS  
GS  
Gate-Source Leakage Current  
GSS  
(V = 10 Vdc, V = 0 Vdc)  
GS  
DS  
On Characteristics  
Gate Threshold Voltage  
(V = 12.5 Vdc, I = 60 μA)  
V
1.0  
—
1.7  
2.1  
—
Vdc  
Vdc  
GS(th)  
DS  
D
Drain-Source On-Voltage  
(V = 10 Vdc, I = 500 mAdc)  
V
0.65  
DS(on)  
GS  
D
Dynamic Characteristics  
Input Capacitance  
(V = 12.5 Vdc, V = 0, f = 1 MHz)  
DS  
C
—
—
—
33  
16.5  
2.2  
—
—
—
pF  
pF  
pF  
iss  
GS  
Output Capacitance  
(V = 12.5 Vdc, V = 0, f = 1 MHz)  
DS  
C
oss  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
(V = 12.5 Vdc, V = 0, f = 1 MHz)  
C
rss  
DS  
GS  
Functional Tests (In Freescale Test Fixture)  
Common-Source Amplifier Power Gain  
G
10  
50  
11  
55  
—
—
dB  
%
ps  
(V = 12.5 Vdc, P = 3 Watts, I  
= 50 mA, f = 520 MHz)  
= 50 mA, f = 520 MHz)  
DD  
out  
DQ  
Drain Efficiency  
η
(V = 12.5 Vdc, P = 3 Watts, I  
DD  
out  
DQ  
MRF1513T1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
2
1234567...16

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