5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMFT70R380P | MGCHIP |
获取价格 |
700V 0.38(ohm) N-channel MOSFET |
|
| MMFT70R380PTH | MGCHIP |
获取价格 |
700V 0.38(ohm) N-channel MOSFET |
|
| MMFT960T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mA, 60 Volts |
|
| MMFT960T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
MEDIUM POWER TMOS FET 300 mA 60 VOLTS |
|
| MMFT960T1_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223 |
|
| MMFT960T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223 |
|
| MMFTN0202KE | SWST |
获取价格 |
小信号金氧半電晶體 |
|
| MMFTN0206KW | SWST |
获取价格 |
小信号金氧半電晶體 |
|
| MMFTN0206KW-AH | SWST |
获取价格 |
小信号金氧半電晶體 |
|
| MMFTN0250KW | SWST |
获取价格 |
小信号金氧半電晶體 |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
