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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMFT70R380P | MGCHIP |
获取价格 |
700V 0.38(ohm) N-channel MOSFET |
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| MMFT70R380PTH | MGCHIP |
获取价格 |
700V 0.38(ohm) N-channel MOSFET |
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| MMFT960T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mA, 60 Volts |
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| MMFT960T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
MEDIUM POWER TMOS FET 300 mA 60 VOLTS |
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| MMFT960T1_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223 |
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| MMFT960T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223 |
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| MMFTN0202KE | SWST |
获取价格 |
小信号金氧半電晶體 |
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| MMFTN0206KW | SWST |
获取价格 |
小信号金氧半電晶體 |
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| MMFTN0206KW-AH | SWST |
获取价格 |
小信号金氧半電晶體 |
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| MMFTN0250KW | SWST |
获取价格 |
小信号金氧半電晶體 |
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