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MMFT960T1 PDF预览

MMFT960T1

更新时间： 2024-01-03 22:08:17
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
6页 125K
描述
MEDIUM POWER TMOS FET 300 mA 60 VOLTS

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MMFT960T1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-261AA包装说明：CASE 318E-04, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.29外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：1.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMFT960T1 数据手册

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by MMFT960T1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
N–Channel Enhancement–Mode  
Silicon Gate TMOS  
SOT–223 for Surface Mount  
MEDIUM POWER  
TMOS FET  
300 mA  
60 VOLTS  
This TMOS medium power field effect transistor is designed for  
high speed, low loss power switching applications such as  
switching regulators, dc–dc converters, solenoid and relay drivers.  
The device is housed in the SOT–223 package which is designed  
for medium power surface mount applications.  
R
= 1.7 OHM MAX  
DS(on)  
•
•
•
•
Silicon Gate for Fast Switching Speeds  
= 1.7 Ohm Max  
4
R
DS(on)  
1
2
2,4 DRAIN  
Low Drive Requirement  
3
The SOT–223 Package can be soldered using wave or reflow.  
The formed leads absorb thermal stress during soldering  
eliminating the possibility of damage to the die.  
CASE 318E–04, STYLE 3  
TO–261AA  
•
Available in 12 mm Tape and Reel  
Use MMFT960T1 to order the 7 inch/1000 unit reel  
Use MMFT960T3 to order the 13 inch/4000 unit reel  
1
GATE  
3 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Volts  
Volts  
mAdc  
V
V
DS  
Gate–to–Source Voltage — Non–Repetitive  
Drain Current  
±30  
300  
GS  
I
D
(1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
0.8  
6.4  
Watts  
mW/°C  
A
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
–65 to 150  
°C  
J
stg  
DEVICE MARKING  
FT960  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance — Junction–to–Ambient  
R
156  
°C/W  
θJA  
Maximum Temperature for Soldering Purposes  
Time in Solder Bath  
T
L
260  
10  
°C  
Sec  
1. Device mounted on a FR–4 glass epoxy printed circuit board using minimum recommended footprint.  
TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 3  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMFT960T1_06 ONSEMI

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