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MMFTN1034KDE

更新时间： 2024-11-12 14:52:55

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN1034KDE 数据手册

MMFTN1034KDE

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification Voltage Range(V)

< 125

Q1: 1.Source 2.Gate 6.Drain

Q2: 4.Source 5.Gate 3.Drain

SOT-563 Plastic Package

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Symbol

V_DS

Value

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

V_GS

I_D

± 8

Gate-Source Voltage

Drain Current

610

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

P_tot

Power Dissipation ²⁾

220

℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 5 s

Steady-State

565

675

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad.

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Dated: 07/03/2023 Rev:02

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