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MMFTN123

更新时间： 2024-11-11 10:51:51

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管场效应晶体管
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2页	109K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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MMFTN123 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.43
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.17 A	最大漏源导通电阻：	10 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MMFTN123 数据手册

MMFTN123

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Kanal Logikpegel Feldeffekt-Transistor – Anreicherungstyp

Version 2011-01-24

Power dissipation – Verlustleistung

360 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = G 2 = S 3 = D

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMFTN123

100 V

Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung

Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

V_DS

V_GSS

P_tot

I_D

± 20 V

360 mW ¹)

Drain current – Drainstrom (dc)

170 mA

Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom

I_DM

680 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

150°C

-55…+150°C

Device mounted on standard PCB material

Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial

http://www.diotec.com/

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