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MMFTN123K-CH

更新时间： 2024-11-12 14:54:19

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN123K-CH 数据手册

MMFTN123K-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

• Typical ESD Protection HBM Class 2

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Low switch appliances

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

200

℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

600

Total Power Dissipation ²⁾

P_tot

500

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 02/03/2023 Rev:01

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