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MMFTN138K-AH

更新时间： 2024-11-12 14:55:07

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN138K-AH 数据手册

MMFTN138K-AH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Advanced trench cell design

• High speed switch

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Load switch appliances

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

360

1.2

Peak Drain Current, Pulsed (tp < 10 μs)

I_DM

350 ¹⁾

Power Dissipation

P_D

420 ²⁾

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

℃

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

357 ¹⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

300 ²⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 08/10/2022 Rev:02

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