MMFTN138

更新时间： 2024-11-11 10:51:51

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号场效应晶体管光电二极管 IOT
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描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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MMFTN138 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	2.31	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.22 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MMFTN138 数据手册

MMFTN138

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Kanal Logikpegel Feldeffekt-Transistor - Anreicherungstyp

Version 2011-01-24

Power dissipation – Verlustleistung

360 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = G 2 = S 3 = D

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMFTN138

50 V

Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung

V_DSS

V_DGR

Drain-Gate-voltage (R_GS< 20 KΩ )

Drain-Gate-Spannung

50 V

Gate-Source-voltage

Gate-Source-Spannung

V_GSS

± 20 V

± 40 V

t_P< 50 µs V_GSS

Power dissipation – Verlustleistung

P_tot

I_D

360 mW

220 mA

880 mA

Drain current continuos – Drainstrom (dc)

Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom

I_DM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

150°C

-55…+150°C

http://www.diotec.com/

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