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MMFTN127-AH

更新时间： 2024-11-12 14:53:59

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN127-AH 数据手册

MMFTN127-AH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Advanced trench cell design

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

Gate

Application

• AC-DC switching power supply

• DC-DC converters

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

• High-voltage H-bridge PWM motor drive

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

600

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

100

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

500

I_DM

0.61 ²⁾

P_D

Power Dissipation

1.25 ³⁾

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

204 ²⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃/W

100 ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 16/03/2023 Rev:01

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