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MMFTN1308KW

更新时间: 2024-11-12 14:55:07
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先科 - SWST /
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6页 493K
描述
小信号金氧半電晶體

MMFTN1308KW 数据手册

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MMFTN1308KW  
N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Drain  
• Surface-mounted package  
• Built-in G-S Protection Diode  
• Typical ESD Protection HBM Class 1A  
Gate  
Classification Voltage Range(V)  
0A  
0B  
1A  
1B  
1C  
2
< 125  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
SOT-323 Plastic Package  
Source  
125 to < 250  
250 to < 500  
500 to < 1000  
1000 to < 2000  
2000 to < 4000  
4000 to < 8000  
8000  
3A  
3B  
Applications  
• Smart phones, tablet PC’s  
• DC/DC converters  
• Boost converters  
• Load switch, OVP switch  
Absolute Maximum Ratings (at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Value  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
30  
VGS  
± 12  
V
ID  
1.4  
A
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
IDM  
6
A
Power Dissipation 2)  
PD  
400  
mW  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Tj, Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
312  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150°C.  
/W  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.  
®
1 / 6  
Dated: 31/07/2023 Rev:04  

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