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MMFTN0360K-AH

更新时间： 2024-11-12 14:54:07

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN0360K-AH 数据手册

MMFTN0360K-AH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Advanced trench cell design

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification

Voltage Range(V)

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

< 125

Source

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

1 ²⁾

Power Dissipation

P_tot

0.54 ³⁾

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

℃

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

125 ²⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

231 ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t ≤ 10 s.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad.

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Dated: 30/06/2023 Z Rev:02

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