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MMFT960T1G PDF预览

MMFT960T1G

更新时间： 2024-11-11 10:51:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 59K
描述
Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223

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MMFT960T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-261AA包装说明：CASE 318E-04, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.29外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：1.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMFT960T1G 数据手册

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MMFT960T1  
Preferred Device  
Power MOSFET  
300 mA, 60 Volts  
N−Channel SOT−223  
This Power MOSFET is designed for high speed, low loss power  
switching applications such as switching regulators, dc−dc converters,  
solenoid and relay drivers. The device is housed in the SOT−223  
package which is designed for medium power surface mount  
applications.  
http://onsemi.com  
300 mA, 60 VOLTS  
RDS(on) = 1.7 W  
Features  
N−Channel  
D
• Silicon Gate for Fast Switching Speeds  
• Low Drive Requirement  
• The SOT−223 Package can be Soldered Using Wave or Reflow  
• The Formed Leads Absorb Thermal Stress During Soldering  
Eliminating the Possibility of Damage to the Die  
• Pb−Free Package is Available  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
4
TO−261AA  
CASE 318E  
STYLE 3  
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Non−Repetitive  
Drain Current  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
1
V
DS  
GS  
2
3
V
30  
V
I
300  
0.8  
mAdc  
W
D
MARKING DIAGRAM AND  
PIN ASSIGNMENT  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
A
(Note 1)  
Derate above 25°C  
6.4  
mW/°C  
°C  
4 Drain  
Operating and Storage Temperature Range T , T  
−65 to 150  
J
stg  
AYW  
FT960 G  
G
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
156  
260  
°C/W  
°C  
q
JA  
1
2
3
Maximum Temperature for Soldering  
Purposes  
T
L
Gate Drain Source  
Time in Solder Bath  
10  
S
A
Y
W
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. Device mounted on a FR−4 glass epoxy printed circuit board using minimum  
recommended footprint.  
= Pb−Free Package  
FT960 = Device Code  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
MMFT960T1  
MMFT960T1G  
Package  
Shipping  
SOT−223  
1000 Tape & Reel  
1000 Tape & Reel  
SOT−223  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 5  
MMFT960T1/D  
 
1234

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MMFT960T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMFT960T1 ONSEMI

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