ZVN2106GTA

更新时间： 2024-10-03 11:51:07

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN2106GTA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	0.74	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.71 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN2106GTA 数据手册

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN2106G

ISSUE 3 – NOVEMBER 1995

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DS(on)=2Ω

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAIL -

ZVP2106G

ZVN2106

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

710

I_DM

± 20

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

2.0

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n Vo lta g e

Ga te-S o u rce Th res h o ld Vo lta g e

Ga te-Bo d y Lea ka g e

BV_{DS S}

V_{GS (th )}

I_{GS S}

I_D=1m A, V_GS=0V

I_D=1m A, V_DS= V_GS

0.8

2.4

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

V_DS=60 V, V_GS=0

_DS=48 V, V_GS=0V,

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in Cu rre n t

I_{DS S}

500 n A

100

µA

T=125°C(2)

On -S ta te Dra in Cu rre n t (1)

I_{D(o n )}

V_DS=18V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=1A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te

Res is ta n ce (1)

R_{DS (o n )}

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce (1)(2)

In p u t Ca p a citan ce (2)

g _fs

300

m S

p F

V_DS=18V,I_D=1A

C_{is s}

C_{o s s}

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

V_DS=18 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fer Ca p a cita n ce (2)

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

C_{rs s}

t_{d (o n )}

t_r

p F

n s

_DD≈18V, I_D=1A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

Spice param eter data is available upon request for this device

3 - 385

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ZVN2106GTA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZVN2106GTC	DIODES	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN2106G	DIODES	功能相似	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN2106GTC	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN2106L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 650MA I(D) \| TO-220
ZVN2106Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 610MA I(D) \| SOT-89
ZVN2106ZTA	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.61A I(D), 60V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN2110A	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN2110A	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN2110AM1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 320MA I(D) \| SO
ZVN2110ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN2110ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN2110ASMTC	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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