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MMFTN1012KW

更新时间： 2024-11-12 14:54:43

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN1012KW 数据手册

MMFTN1012KW

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low Gate Threshold Voltage

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 8

V_GS

I_D

900

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

3.6

Power Dissipation ²⁾

P_D

280

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

450

Unit

Thermal Resistance-Junction to Ambient ²⁾Steady State

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad in still air.

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Dated: 02/08/2023 Rev:04

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