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MMFTN0250KW

更新时间： 2024-11-12 14:54:15

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN0250KW 数据手册

MMFTN0250KW

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

Source

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

Gate-Source Voltage

± 8

Drain Current (Continuous) ¹⁾

Drain Current (Pulsed) ²⁾

Power Dissipation ³⁾

± 200

± 800

150

℃

I_DP

P_tot

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Maximum Thermal Resistance from Juntion to Ambient ³⁾

℃/W

¹⁾Limited only by maximum temperature allowed

²⁾P_w≤ 10 μs, Duty cycle ≤ 1%

³⁾Each therminal on a recommened land

Dated: 14/05/2019 Rev: 01

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