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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-261AA | 包装说明： | MINIATURE, CASE 318E-04, 4 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.43 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-261AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.56 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 19 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTF5P03T3G | ONSEMI |
功能相似  |
Power MOSFET 5.2 A, 30 V |
|
| MMFT5P03HDT3 | MOTOROLA |
功能相似 |
TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR |
|
| NTF5P03T3 | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMFT60R115PC | MGCHIP |
获取价格 |
600V 0.115(ohm) N-channel MOSFET |
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| MMFT60R115PCTH | MGCHIP |
获取价格 |
600V 0.115(ohm) N-channel MOSFET |
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| MMFT60R190QTH | MGCHIP |
获取价格 |
TO-220FT |
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| MMFT60R195P | MGCHIP |
获取价格 |
600V 0.195(ohm) N-channel MOSFET |
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| MMFT60R195PC | MGCHIP |
获取价格 |
600V 0.195(ohm) N-channel MOSFET |
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| MMFT60R195PCTH | MGCHIP |
获取价格 |
600V 0.195(ohm) N-channel MOSFET |
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| MMFT60R195PTH | MGCHIP |
获取价格 |
600V 0.195(ohm) N-channel MOSFET |
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| MMFT60R280QTH | MGCHIP |
获取价格 |
TO-220FT |
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| MMFT60R290P | MGCHIP |
获取价格 |
600V 0.29(ohm) N-channel MOSFET |
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| MMFT60R290PC | MGCHIP |
获取价格 |
600V 0.29(ohm) N-channel MOSFET |
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