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MMFT6661T1 PDF预览

MMFT6661T1

更新时间： 2024-02-09 23:51:05
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 120K
描述
500mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN

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MMFT6661T1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-261AA包装说明：CASE 318E-04, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：90 V
最大漏极电流 (ID)：0.5 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMFT6661T1 数据手册

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by MMFT6661T1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
N–Channel Enhancement–Mode  
Silicon Gate TMOS  
SOT–223 for Surface Mount  
MEDIUM POWER  
TMOS FET  
500 mA  
90 VOLTS  
This TMOS medium power field effect transistor is designed for  
high speed, low loss power switching applications such as  
switching regulators, dc–dc converters, solenoid and relay drivers.  
The device is housed in the SOT–223 package which is designed  
for medium power surface mount applications.  
R
= 4.0 OHM MAX  
DS(on)  
•
•
•
•
Silicon Gate for Fast Switching Speeds  
= 4.0 Ohm Max  
4
R
DS(on)  
Low Drive Requirement, V  
1
2
2,4 DRAIN  
= 2.0 Volts Max  
GS  
3
The SOT–223 Package can be soldered using wave or reflow.  
The formed leads absorb thermal stress during soldering  
eliminating the possibility of damage to the die.  
CASE 318E–04, STYLE 3  
TO–261AA  
•
Available in 12 mm Tape and Reel  
Use MMFT6661T1 to order the 7 inch/1000 unit reel  
Use MMFT6661T3 to order the 13 inch/4000 unit reel  
1
GATE  
3 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Symbol  
Value  
90  
Unit  
Vdc  
V
V
DS  
Gate–to–Source Voltage — Non–Repetitive  
Drain Current  
±30  
500  
Vdc  
GS  
I
D
mAdc  
(1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
0.8  
6.4  
Watts  
mW/°C  
A
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
–65 to 150  
°C  
J
stg  
DEVICE MARKING  
T6661  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance — Junction–to–Ambient  
R
156  
°C/W  
θJA  
Maximum Temperature for Soldering Purposes  
Time in Solder Bath  
T
L
260  
10  
°C  
Sec  
1. Device mounted on FR–4 glass epoxy printed circuit board using minimum recommended footprint.  
TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 4  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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MMFT6661T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMFT6661T1 MOTOROLA

功能相似

 500mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		500mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA, TO-261AA, 4 PIN
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