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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-261AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.37 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 90 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-261AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMFT6N03HD | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER 6.0 AMPERES 30 VOLTS |
|
| MMFT6N03HDT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| MMFT70R380P | MGCHIP |
获取价格 |
700V 0.38(ohm) N-channel MOSFET |
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| MMFT70R380PTH | MGCHIP |
获取价格 |
700V 0.38(ohm) N-channel MOSFET |
|
| MMFT960T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mA, 60 Volts |
|
| MMFT960T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
MEDIUM POWER TMOS FET 300 mA 60 VOLTS |
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| MMFT960T1_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223 |
|
| MMFT960T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223 |
|
| MMFTN0202KE | SWST |
获取价格 |
小信号金氧半電晶體 |
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| MMFTN0206KW | SWST |
获取价格 |
小信号金氧半電晶體 |
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