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MMDT5401

更新时间： 2024-02-16 02:32:32

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SECOS		晶体晶体管
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2页	407K
描述
Multi-Chip (PNP+PNP) Transistor

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MMDT5401 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns

MMDT5401 数据手册

MMDT5401

Plastic-Encapsulate

Elektronische Bauelemente

Multi-Chip (PNP+PNP) Transistor

RoHS Compliant Product

SOT-363

8^o

.055(1.40)

.047(1.20)

.026TYP

Features

(0.65TYP)

.021REF

(0.525)REF

* Epitaxial Planar Die Construction

.053(1.35)

.045(1.15)

* Complementary NPN Type Available (MMDT5551)

.096(2.45)

.085(2.15)

.018(0.46)

.010(0.26)

C₂

B₁

E₁

.014(0.35)

.006(0.15)

.003(0.08)

.087(2.20)

.079(2.00)

.004(0.10)

.000(0.00)

E₂

B₂

C₁

.043(1.10)

.035(0.90)

.039(1.00)

.035(0.90)

Marking : K4M

Dimensions in inches and (millimeters)

Absolute Maximum Ratings

(Tamb=25 C unless otherwise specified)

Parameter

Collector-Base Voltage

Symbol

Ratings

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

-160

-150

-5

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Dissipation

-0.2

0.2

^oC

Operating Junction and Storage Temperature Range

Tj, Tstg

-55~+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25^oC unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

I_E=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=-100µA,

-160

-150

-5

V_(BR)CEOI_C= -1mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=-10µA, I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB=-120 V , I_E=0

-0.05

µA

Emitter cut-off current

V_EB=-3V , I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

h_FE(3)

V_CE=-5 V, I_C= -1mA

V_CE=-5 V, I_C= -10mA

V_CE=-5 V, I_C= -50mA

DC current gain

240

V_CE(sat)1I_C=-10 mA, I_B=-1mA

V_CE(sat)2I_C=-50 mA, I_B=-5mA

V_BE(sat)1I_C= -10 mA, I_B=-1mA

V_BE(sat)2I_C= -50 mA, I_B=-5mA

-0.2

-0.5

-1

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

-1

MHz

Transition frequency

Output Capacitance

Noise Figure

f_T

_CE= -10V, I_C= -10mA, f = 100MHz

100

300

V_CB=-10V, I_E= 0 ,

f=1MHz

C_ob

_CE= -5.0V, I_C= -200µA,

R^S= 10 ,f = 1.0kHz

8.0

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jan-2006 Rev.B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMDT5401_1	DIODES	获取价格	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT5401_11	MCC	获取价格	Plastic-Encapsulate Transistors
MMDT5401_15	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMDT5401_2	DIODES	获取价格	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT5401-7	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 150V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ULTRA
MMDT5401-7-F	DIODES	获取价格	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT5401G-AL6-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
MMDT5401HE3	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
MMDT5401L-AL6-R	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMDT5401Q	DIODES	获取价格	Dual PNP, 150V, 0.2A, SOT363

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