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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMDT5451-TP
MMDT5451-TP PDF预览

MMDT5451-TP

更新时间： 2024-11-14 13:11:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 392K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

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MMDT5451-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

MMDT5451-TP 数据手册

 浏览型号MMDT5451-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMDT5451-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMDT5451  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
One 5551-Type NPN ,One 5401-Type PNP  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
NPN/PNP  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
·
·
·
x
Moisure Sensitivity Level 1  
Marking:KNM  
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
O
NPN 5551 Section  
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Rating  
160  
180  
6
0.2  
0.2  
625  
Unit  
V
V
V
A
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
SOT-363  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
G
PC  
W
R
W
thJA  
TJ  
TSTG  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
R
R
C
B
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
A
H
NPN 5551 Section  
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mAdc, IB=0)  
Min  
Max  
Units  
M
K
V(BR)CEO  
160  
---  
Vdc  
J
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=120Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
D
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
180  
6
---  
Vdc  
Vdc  
L
---  
---  
---  
0.05  
0.05  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
DIMENSIONS  
(VEB=4Vdc,IC=0)  
INCHES  
MIN  
MM  
DC Current Gain  
DIM  
A
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
(IC=1mAdc, VCE=5Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=5Vdc)  
(IC=50mAdc, VCE=5Vdc)  
80  
100  
30  
---  
300  
---  
.006  
.045  
.085  
hFE  
B
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5mAdc)  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
VCE(sat)  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
0.15  
0.2  
---  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
L
1.0  
1.0  
VBE(sat)  
---  
---  
M
Current Gain-Bandwidth Product  
(VCE=10Vdc, IC=10mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
fT  
300  
MHz  
100  
---  
Cobo  
6.0  
pF  
(VCB=10Vdc, f=1MHz, IE=0)  
Noise Figure  
(VCE=5V,IC=200uA,  
E1, B1, C1 = PNP 5401  
E2, B2, C2 = NPN 5551  
NF  
---  
8.0  
dB  
R =1Kohm, f=1KHz)  
S
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/04/08  
1 of 3  
123

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与MMDT5451-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDT5451-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
MMDT5551 DIODES

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