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MMDT5401-TP

更新时间： 2024-09-30 12:19:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 116K
描述
Plastic-Encapsulate Transistors

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MMDT5401-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MMDT5401-TP 数据手册

 浏览型号MMDT5401-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMDT5401-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMDT5401  
Micro Commercial Components  
Features  
x
Marking:K4M  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Ultra-small Surface Mount Package  
Epitaxial Planar Die Construction  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
•
•
•
x
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
O
Symbol  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating  
-150  
Unit  
V
V
V
A
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
SOT-363  
-160  
-5  
-0.2  
G
0.2  
-55 to +150  
W
R
Operating Junction Temperature  
C
B
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-120Vdc,IE=0)  
Min  
Max  
Units  
A
H
V(BR)CEO  
-150  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-160  
-5  
--  
---  
Vdc  
Vdc  
uA  
M
K
---  
J
D
L
0.05  
-0.05  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-3Vdc,IC=0)  
IEBO  
---  
uA  
DC Current Gain  
DIMENSIONS  
hFE  
(IC=-1mAdc, VCE=-5Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-5Vdc)  
(IC=-50mAdc, VCE=-5Vdc)  
50  
60  
50  
---  
240  
---  
INCHES  
MM  
---  
DIM  
A
MIN  
.006  
.045  
.085  
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
B
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
Current Gain-Bandwidth Product  
(VCE=-10Vdc, IC=-10mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=-5Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
Noise Figure  
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
VCE(sat)  
---  
---  
-0.2  
-0.5  
Vdc  
Vdc  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
---  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
VBE(sat)  
---  
---  
-1  
-1  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
L
M
fT  
100  
---  
300  
4.5  
6
MHz  
pF  
dB  
Cob  
NF  
---  
(VCE=-10V,IC=-0.1mA, f=1KHz, RS=1k=)  
td  
tr  
tS  
tf  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
V
CC=-3V,IC=-10mA,  
---  
---  
---  
---  
35  
35  
225  
75  
ns  
ns  
ns  
ns  
VBE=-0.5V, IB1=-IB2=-1mA  
VCC=-3V, IC=-10mA,  
IB1=-IB2=-1mA  
www.mccsemi.com  
Revision: 4  
2008/12/31  
1 of 3  
123

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MMDT5401-TP 替代型号

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DMMT5401-TP MCC

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