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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DMMT5401-TP
DMMT5401-TP PDF预览

DMMT5401-TP

更新时间： 2024-09-30 06:54:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
Plastic-Encapsulate Transistors

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DMMT5401-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

DMMT5401-TP 数据手册

 浏览型号DMMT5401-TP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
DMMT5401  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Ultra-small Surface Mount Package  
Epitaxial Planar Die Construction  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
•
x
x Marking:K4S  
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
O
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Power Dissipation---  
Rating  
-150  
Unit  
V
V
V
A
SOT-363  
-160  
-5  
-0.2  
PD  
TJ  
0.2  
-55 to +150  
W
R
G
Operating Junction Temperature  
E1  
E2  
C2  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
C
B
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-120Vdc,IE=0)  
Min  
Max  
Units  
C1  
B1  
B2  
V(BR)CEO  
-150  
---  
Vdc  
A
H
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-160  
-5  
--  
---  
Vdc  
Vdc  
uA  
---  
M
K
0.05  
-0.05  
J
F
D
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-3Vdc,IC=0)  
L
IEBO  
---  
uA  
DC Current Gain  
hFE  
(IC=-1mAdc, VCE=-5Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-5Vdc)  
(IC=-50mAdc, VCE=-5Vdc)  
50  
60  
50  
---  
240  
---  
---  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
MAX  
.012  
.053  
.087  
MIN  
MAX  
0.30  
1.35  
2.20  
NOTE  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
.004  
.045  
.079  
0.10  
1.15  
2.00  
VCE(sat)  
---  
---  
-0.2  
-0.5  
Vdc  
Vdc  
B
C
D
F
.026  
0.65Nominal  
.012  
.071  
---  
.016  
.087  
.004  
.039  
.016  
.016  
0.30  
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
VBE(sat)  
---  
---  
-1  
-1  
H
J
1.80  
---  
K
.035  
.010  
.004  
0.90  
0.25  
0.10  
Current Gain-Bandwidth Product  
(VCE=-10Vdc, IC=-10mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=-10Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
Noise Figure  
(VCE=-5V,IC=-0.2mA, f=1KHz, RS=10=)  
fT  
100  
---  
300  
6.0  
8
MHz  
pF  
dB  
L
M
Cob  
NF  
---  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 3  
2008/01/01  
12

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DMMT5401-TP 替代型号

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MMDT5401-TP MCC

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