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MMDT5401-7-F

更新时间： 2024-11-14 02:53:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 74K
描述
DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMDT5401-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：1.29最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

MMDT5401-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: MMDT5401  
MMDT5401  
Lead-free  
DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
SOT-363  
A
Complementary NPN Type Available  
(MMDT 5551)  
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
C2  
B1  
E1  
·
·
·
Ideal for Medium Power Amplification and Switching  
Ultra-Small Surface Mount Package  
B
C
B
C
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
E2  
B2  
C1  
D
0.65 Nominal  
G
H
F
0.30  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
8°  
Mechanical Data  
H
K
J
M
·
·
Case: SOT-363  
J
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
L
D
F
L
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
M
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
C2  
B1  
a
E1  
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe).  
All Dimensions in mm  
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking (See Page 2): K4M  
E2  
B2  
C1  
Order & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
MMDT5401  
-160  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
-150  
V
Emitter-Base Voltage  
-5.0  
V
Collector Current - Continuous (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1, 2)  
-200  
mA  
mW  
K/W  
°C  
Pd  
200  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
625  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Maximum combined dissipation.  
3. No purposefully added lead.  
DS30169 Rev. 8 - 2  
1 of 4  
MMDT5401  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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MMDT5401-7-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMDT5401-7 DIODES

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 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 150V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ULTRA

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