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MMDT5401 PDF预览

MMDT5401

更新时间： 2024-11-14 10:51:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 223K
描述
Plastic-Encapsulate Transistors

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MMDT5401 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.47最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

MMDT5401 数据手册

 浏览型号MMDT5401的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMDT5401的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMDT5401  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
x
•
•
Marking:K4M  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Ultra-small Surface Mount Package  
Epitaxial Planar Die Construction  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
•
·
·
Moisure Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
O
Symbol  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating  
-150  
Unit  
V
V
V
A
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
SOT-363  
-160  
-5  
-0.2  
G
0.2  
-55 to +150  
W
R
Operating Junction Temperature  
C
B
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-120Vdc,IE=0)  
Min  
Max  
Units  
A
H
V(BR)CEO  
-150  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-160  
-5  
--  
---  
Vdc  
Vdc  
uA  
M
K
---  
J
D
L
0.05  
-0.05  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-3Vdc,IC=0)  
IEBO  
---  
uA  
DC Current Gain  
DIMENSIONS  
hFE  
(IC=-1mAdc, VCE=-5Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-5Vdc)  
(IC=-50mAdc, VCE=-5Vdc)  
50  
60  
50  
---  
240  
---  
INCHES  
MIN  
MM  
---  
DIM  
A
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
.006  
.045  
.085  
B
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
Current Gain-Bandwidth Product  
(VCE=-10Vdc, IC=-10mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=-5Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
Noise Figure  
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
VCE(sat)  
---  
---  
-0.2  
-0.5  
Vdc  
Vdc  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
---  
VBE(sat)  
---  
---  
-1  
-1  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
L
M
fT  
100  
---  
300  
4.5  
6
MHz  
pF  
dB  
Cob  
NF  
---  
(VCE=-10V,IC=-0.1mA, f=1KHz, RS=1k=)  
td  
tr  
tS  
tf  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
V
CC=-3V,IC=-10mA,  
---  
---  
---  
---  
35  
35  
225  
75  
ns  
ns  
ns  
ns  
VBE=-0.5V, IB1=-IB2=-1mA  
VCC=-3V, IC=-10mA,  
IB1=-IB2=-1mA  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 3  
123

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与MMDT5401相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDT5401_1 DIODES

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 		DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT5401_11 MCC

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 		Plastic-Encapsulate Transistors
MMDT5401_15 UTC

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 		HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMDT5401_2 DIODES

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 		DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT5401-7 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 150V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ULTRA
MMDT5401-7-F DIODES

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 		DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT5401G-AL6-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
MMDT5401HE3 MCC

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 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
MMDT5401L-AL6-R UTC

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 		HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMDT5401Q DIODES

获取价格

 		Dual PNP, 150V, 0.2A, SOT363

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