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MMBTSB815

更新时间： 2024-09-30 05:49:23

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
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2页	149K
描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

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MMBTSB815 数据手册

MMBTSB815

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for general purpose AF amplifier

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

700

Collector Current (Pulse)

Power Dissipation

-I_CP

P_tot

1.5

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_S

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at -V_CE= 2 V, -I_C= 50 mA

at -V_CE= 2 V, -I_C= 500 mA

h_FE

200

400

Collector Cutoff Current

at -V_CB= 15 V

Emitter Cutoff Current

at -V_EB= 4 V

Collector Base Breakdown Voltage

at -I_C= 10 µA

Collector Emitter Breakdown Voltage

at -I_C= 100 µA

Emitter Base Breakdown Voltage

at -I_E= 10 µA

Collector Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 5 mA, -I_B= 0.5 mA

Collector Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 100 mA, -I_B= 10 mA

Transition Frequency

-I_CBO

-I_EBO

100

-V_(BR)CBO

-V_(BR)CEO

-V_(BR)EBO

-V_CE(sat)

f_T

120

MHz

250

at -V_CE= 10 V, -I_C= 50 mA

Output Capacitance

at -V_CB= 10 V, f = 1 MHz

C_ob

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 18/07/2007

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