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MMBTSC1623L4

更新时间: 2024-01-27 00:39:01
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平晶微 - PJSEMI /
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4页 813K
描述
NPN Transistor

MMBTSC1623L4 数据手册

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MMBTSC1623  
NPN Transistor  
Features  
SOT-23  
High DC Current gain.  
High voltage  
1.Base 2.Emitter 3.Collector  
Marking Code: L4: L4.  
L5: L5.  
L6: L6.  
L7: L7.  
Absolute Maximum Ratings  
Ratings at 25ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
VCBO  
60  
V
Collector Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
5
V
V
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
100  
200  
mA  
mW  
PD  
Power Dissipation  
TJ  
Junction Temperature  
150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
-55 to 150  
www.pingjingsemi.com  
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Revison1.0 July-2018  

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