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MMBTSC2412S

更新时间： 2024-01-04 00:52:48

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平晶微 - PJSEMI		/
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描述
NPN Transistor

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MMBTSC2412S 数据手册

MMBTSC2412

NPN Transistor

SOT-23

Features

(TO-236)



For general purpose application.

According to its DC current gain, the transistor is

subdivided into three groups Q, R and S.

1.Base 2.Emitter 3.Collector

Marking: Q :1Q

R :1B

S :1C

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25℃)

Parameter

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

150

Collector Current

Power Dissipation

P_D

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_J

150

T_STG

- 55 to + 150

www.pingjingsemi.com

Revision：1.0 May-2018

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