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MMBTSC2712

更新时间： 2024-09-24 14:55:47

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSC2712 数据手册

MMBTSC2712

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• The transistor is subdivided into four groups O, Y, G and

L, according to its DC current gain.

• Low Collector Emitter Saturation Voltage

1. Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Switching

• AF Amplifier

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

150

Base Current

I_B

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 14/09/2021 Rev: 02

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