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MMBTSC3324

更新时间： 2023-12-06 20:08:40

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSC3324 数据手册

MMBTSC3324

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• The transistor is subdivided into two groups G and

L, according to its DC current gain

1. Base 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• For audio frequency low noise amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

120

100

Base Current

I_B

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

200

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance - Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated：20/07/2022 Rev：03

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